TESTEURS DE SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
Seica a le plaisir de présenter deux solutions innovantes dédiées aux tests de semi-conducteurs de haute puissance.
Avec la gamme S20, Seica offre des performances et une fiabilité de pointe pour les applications les plus exigeantes.
Fort d’une expertise approfondie dans le domaine des tests de cartes de sondes et s’appuyant sur des plateformes hautes performances telles que le Pilot VX XL HR, Seica présente aujourd’hui deux systèmes avancés spécialement conçus pour répondre aux exigences en constante évolution de la validation des semi-conducteurs de puissance.
S20 IS³ – TESTS DE HAUTE PRÉCISION POUR LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE DISCRETS
Le système S20 IS³ offre une solution de pointe pour tester les dispositifs de puissance discrets, y compris les technologies SiC et GaN. Conçue pour les tests AC-Dynamic et DC-Static, la solution Seica permet une caractérisation précise et reproductible des paramètres électriques, un processus crucial pour garantir la fiabilité et les performances de composants tels que les IGBT, les MOSFET et les diodes, ce qui en fait un outil essentiel pour la production, le contrôle qualité et la R&D.
S20 RTH – CARACTÉRISATION DE LA RÉSISTANCE THERMIQUE ET DES CYCLES DE PUISSANCE
Le système de test S20 RTH est conçu pour fournir une caractérisation précise de la résistance thermique (RTH) grâce à des capacités avancées de gestion de l’alimentation et du refroidissement. Parmi tous les dispositifs à semi-conducteurs, les transistors sont de loin la catégorie la plus importante et presque tous sont des dispositifs à trois broches (MOSFET, BJT, IGBT) et, contrairement aux diodes, ils ont une section de commande qui les rend plus sensibles aux problèmes liés à l’interaction entre la gestion de la puissance et le signal d’entrée. Dans la conception moderne des alimentations électriques, une attention accrue est accordée à l’efficacité électrique de l’ensemble du système et à la température de jonction des dispositifs à semi-conducteurs. Ce type de test évalue la contrainte thermique exercée sur les dispositifs MOSFET de puissance lorsqu’ils sont utilisés dans des alimentations à découpage. Grâce à ce calcul et aux caractéristiques physiques du dispositif, il est possible de prédire la température atteinte à l’intérieur de la jonction, ainsi que la marge admissible ou le dissipateur thermique nécessaire pour garantir que le système dispose d’une marge thermique appropriée pendant son fonctionnement. Cette approche est fondamentale, car un calcul correct permet une évaluation plus précise de la durée de vie des composants/dispositifs et garantit un fonctionnement dans la zone de fonctionnement sécurisée.
